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Structures robustes pour circuits logiques à base de CNTFET

Auteur(s) : T. Dang, L. Anghel, R. Leveugle

Doc. Source: 11ème Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM’08)

Pages : 66

Cet article traite de l'évaluation de la robustesse de structures basées sur des CNTFET, redondantes aux niveaux transistor et logique (Inverseur). Des simulations utilisant des modèles compacts de CNTFET nous permettent de conclure que les structures redondantes peuvent bien tolérer les dispersions paramétriques et les défauts de fabrication (collage_à_0/1).