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« Injection de fautes simulant les effets de basculement de bits induits par radiation ».

Auteur : F. Faure
Directeur de thèse : R. Velazco
These de Doctorat Grenoble INP
Spécialité : Micro et Nano Electronique
Soutenance : 14/11/2005
ISBN : 2-84813-052-0

Résumé

Obtenir une estimation du taux d'erreurs induit par les phénomènes de basculement de bit (soft errorrate, SER) des équipements électroniques est d'un intérêt grandissant. Les standards publiés traitent principalement de la qualification des circuits de type mémoire. Il n'y a pas d'accord sur les méthodes de qualification des microprocesseurs. Dans ce contexte, cette thèse s'attache à définir une méthodologie permettant de prédire le SER d'un processeur à l'aide d'une approche en trois étapes: 1) En définissant une méthode de test sous radiation permettant d'obtenir de façon précise la sensibilité du circuit au rayonnement ionisant; 2) En présentant une analyse détaillée des mesures, dont le but est d'extraire un modèle statistique d'un test accéléré; 3) En utilisant cette empreinte statistique pour reproduire à l'aide d'injection de fautes le comportement du circuit étudié afin de prédire le comportement d'une application quelconque exécutée par le processeur.

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