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« Développement sur substrat SOI mince de composants N-MEMS de type capteur inertiel et étude de la co-intégration avec une filière CMOS industrielle ».

Auteur : T. Baron
Directeur de thèse : S. Basrour
Président du jury : D. Barbier
Rapporteur(s) de thèse : B. Dulmet, A. Bosseboeuf,
These de Doctorat Université Joseph-Fourier - Grenoble I
Spécialité : micro et nano électronique
Soutenance : 30/04/2008
ISBN : 978-2-84813-117-7

Résumé

L’objectif de cette thèse est de réaliser un capteur inertiel à partir d’un substrat SOI utilisé pour le nœud technologique CMOS 130 nm. L’objectif à long terme, afin de pouvoir adresser des applications grand public, est de fabriquer ce capteur comme une partie d’un circuit en utilisant un procédé de co-intégration NEMS « in IC ». Pour réaliser le démonstrateur accélérométrique, nous répondons aux questions relatives à la conception, la fabrication, la caractérisation et aux phénomènes physiques prépondérants à cette échelle. Nous donnons tout d’abord une vue d’ensemble des NEMS et des MEMS en nous basant sur un état de l’art. Celui-ci nous permet d’entreprendre la réduction d’échelle et de choisir un démonstrateur, un accéléromètre résonant, qui nous sert de cas d’étude pour ces travaux. Nous étudions plus en détail, de façon théorique aussi bien qu’expérimentale, le comportement de ces nano-structures. Une des principales difficultés est de caractériser le composant lui-même. A partir d’une étude théorique, nous choisissons le mode de détection capacitif et en montrons sa faisabilité. Nous réalisons en parallèle la conception de la partie mécanique du nano-système et la définition du procédé de co-intégration. Grâce à l’analyse des résultats, nous pouvons présenter quelques perspectives et des axes de travaux à poursuivre pour une meilleure compréhension au niveau de la conception, de la fabrication et de la caractérisation du NEMS. Ces travaux nous permettent de discuter la faisabilité d’un nano-accéléromètre en vue d’une application grand public, avec le choix du procédé de fabrication basé sur le noeud technologique SOI 130 nm. Ces perspectives ont pour objectifs de permettre la réduction des encombrements et la combinaison des performances du NEMS et du circuit afin de faciliter la réalisation de capteurs pour des applications grand public.

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